拉扎维学习记录
模拟CMOS集成电路设计（拉扎维）额外一些记录LVDS：低压差分信号CML：电流模式逻辑SerDes：串并转换/并串转换
第二章2.1 MOS器件物理
多子少子： 主要指P型/N型半导体（衬底）中自由电子和空穴数量 P型自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴 N型空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子 不论N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”
结构： NMOS在P型硅衬底（substrate）基础上，掺杂其余部分（栅源漏）（G、S、D）
尺寸问题： 多晶硅（G极）盖住的部分宽度W 沟道长度$ L_{eff} $和$ L_{drawn} $，后者为特征尺寸 $ L_{eff} < L_{drawn} $ 因为半导体工艺扩散的原因导致 $ .18μm $工艺指的是$ L_{drawn} ≥ 0.18μm $ $ W $ 栅宽 $ L_{drawn} $ 栅长 $ t_{ox} $ 多晶硅厚度 尺寸大致在几个$ nm $级别 $ N_{sub} $ 衬底的掺杂浓度；掺杂半导体特点：载流子浓度由掺杂决定
...
毕设遇到的问题
$ FoM $（Figure of Merit）品质因数$ FoM_T $ (Figure of Merit with Tuning Range)包含调谐范围的品质因数 单位$ dBc/Hz $
$$FoM = PN - 20\lg(\frac{f_0}{Δf}) + 10\lg(\frac{P_{DC}}{1mW})$$ $$FoM_T = PN - 20\lg(\frac{f_0}{Δf} \frac{FTR}{10}) + 10\lg(\frac{P_{DC}}{1mW})$$
$ FTR $ （Frequency Tuning Range）调谐范围$ PN $ （Phase Noise）相位噪声$ P_{DC} $ （Power）直流功耗
香农-哈特利定律：通信速率与信道带宽和信噪比成正比
摩尔定律：互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺节点的进步使得各类电子产品以每两年缩小一倍得速度快速发展。CMOS工艺与传统的砷化镓和磷化铟等III-VI族工艺相比，有低成本、小面积以及高集成度的优势。所以CMOS工艺下的毫米波振荡器被广泛应用。
谐振腔：谐 ...
毕设
毫米波多相位振荡器振荡器方面：行波振荡器（TWO），CMOS振荡器CMOS振荡器：驰张振荡器（多谐振荡器），共振振荡器驰张振荡器以环形振荡器为代表，共振振荡器又分为LC振荡器和分布式振荡器等
驰张振荡器
非稳态多谐振荡器（Astable Multivibrator）：不需要输入信号来触发（自激）。对于输出信号，有两种状态，但不管哪个状态都不稳定，总是从一个状态转变到另一个状态，一张一弛，所以又称为“弛张振荡器”（Relaxation Oscillator）。
单稳态多谐振荡器（Monostable Multivibrator）：需要输入信号来触发。触发后，输出信号处于非稳态，但持续一段时间后还是会回到稳态。这种电路可以用于延时、消除抖动等。
双稳态多谐振荡器（Bistable Multivibrator）：需要输入信号来触发。触发后，输出信号由一个稳态转变到另一个稳态。这种电路是Memory的基础，有待日后分析。
环形振荡器没有高品质因数的谐振腔，相位噪声差，易受工艺电压温度变化的影响，常用于低频段。
23电赛B题
前情提要：综测寄了，最后只能止步于省一了，这里写一下个人电赛B题思路、一些细节以及遇到的问题，并没有全写出来，仅供参考，如有问题或疑问评论（B题题目与要求：（PS：虽然是有题目的，这里还是总结一下）
题目：同轴电缆长度与终端负载检测装置（禁用摄像头、传感器等器件）
要求：
装置要求：不大于6V单电源供电；可以显示工作状态、电缆长度、负载类型、负载参数；一键启动；单次检测时间不超过5s
测量内容：同轴电缆长度20m内任意值，可测量长度越短分数越高；负载类型，包括空载（开路），电阻，电容；电阻阻值（10Ω-30Ω）、电容容值（100pF-300pF）。
误差要求：长度相对误差的绝对值小于1%；电容电阻值误差小于10%（这里其实有个额外要求，原话是这样的：装置应包括信号源和测量处理电路两部分。根据测量方法采用合适的激励信号，在电缆始端测量入射、反射等信号并进行处理，计算所需检测的参数）
方案选择、个人心路历程方案：
NE555、或其他稳定的方波发生电路，信号输入，经传输线反射回来，两个方波信号叠加，简单理解就是0、1信号之间互相串扰叠加，就会出现0、1、2这三种状态，计算好信号频率占 ...
电路问题_2
1看手册遇到 source sink，搜了一下查到如下
灌电流和拉电流灌电流（sink current）对一个端口而言，如果电流方向是向其内部流动的则是“灌电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连接至VCC，当该IO输出为逻辑0时能不能点亮LED，去查该器件手册中sink current参数。
拉电流（source current）对一个端口而言，如果电流方向是向其外部流动的则是“拉电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连至GND，当该IO输出为逻辑1时能不能点亮LED，去查该器件手册中sourcing current参数。
拉电流和灌电流是衡量电路输出驱动能力（注意：拉、灌都是对输出端而言的，所以是驱动能力）的参数，这种说法一般用在数字电路中。
暂时摘记这么多，参考csdn链接 Source(拉电流) Sink（灌电流）详解
电路问题_1
浅浅记录一下背景（原因大概在周一（2023.3.27）上了个微波固态电路的课，主要是讲高频电子线路的一个课程吧算是，当时正在讲Amplifier，提到了一个自激问题，有感而发
内容首先先提一下这些放大器的一些参数，尤其 $ S_{11} $ $ S_{12} $ $ S_{21} $ 这些还有常说的反射系数等等，最后有一个结论性的公式，这边放在下边：
$$ Γ_{in}=S_{11}+\frac{S_{12}S_{21}Γ_{L}}{1-S_{22}Γ_{L}} $$
$$ Γ_{out}=S_{22}+\frac{S_{12}S_{21}Γ_{S}}{1-S_{11}Γ_{S}} $$
即当 $ |Γ_{in}| > 1 $ 此时不稳定，即入射波不断反射叠加最后形成自激，比较便捷快速的解决办法即在输出端加一电阻R，使得 $ S_{12} $ 和 $ S_{21} $ 的值降低，即可使对应的 $ Γ_{in}<1 $
这里再补充一个稳定性系数公式，如果是做题或者设计需要可以借用判断，当K>1稳定，K<1潜在不稳定，个人认为依旧可 ...